场效应晶体管（场效应晶体管图形符号）-宅配通娱网

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1、场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。

2、场效应管分为N沟道和P沟道，主要以N沟道增强型为主，也比较容易辨别N沟道和P沟道，各个品牌的命名方式就可以看出，比方的：FQPF5N60，N就代表N沟道，FQP27P06，P就代表P沟道。

3、主要有两种类型(junctionFET-JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。

4、场效应管按结构可分为结型、绝缘栅型两大类。场效应管是场效应晶体管的简称，是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。

5、功率MOS场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型，但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET），简称功率MOSFET（Power MOSFET）。

6、IRF XXX 后面3位数字抄是N沟道 IRF XXXX 后面四位数字是P沟道.不信你可以找人袭试下知.耗尽型场效应晶体管（D-FET）增强型场效应晶体管（E-FET）这两种的道分别，得看内部结构才可以分辨.再看看别人怎么说的。

1、场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而双极型晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。

2、．场效应管只有多子参与导电；三极管有多子和少子两种载流子参与导电，而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。

3、场效应管是电压控制器件，栅极基本不取电流，而晶体管是电流控制器件，基极必须取一定的电流。因此，丢信号源额定电流极小的情况，应选用场效应管。场效应管是多子导电。而晶体管的两种载流子均参与到点。

4、与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；（2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。

5、场效应晶体管是电压控制器件，很大的优点就是耗能低（只要在开关的瞬间才会有电流通过）。相对于晶体管（三极管）的缺点是速度较慢。

6、场效应管：具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。

场效应管是电压控制器件，栅极基本不取电流，而晶体管是电流控制器件，基极必须取一定的电流。因此，丢信号源额定电流极小的情况，应选用场效应管。场效应管是多子导电。而晶体管的两种载流子均参与到点。

．场效应管只有多子参与导电；三极管有多子和少子两种载流子参与导电，而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。

场效应管是电压控制器件，栅极基本不取电流，而晶体管是电流控制器件，基极必须取一定的电流。因此，丢信号源额定电流极小的情况，应选用场效应管。场效应管是多子导电，而晶体管的两种载流子均参与导电。

电力场效应晶体管管MOSFET，目前能生产出的电压在1200V 电流在300A。它有点在于输入阻抗高，属电压型控制器件，可以直接与数字逻辑电路连接，且驱动电路简单，功耗小。开关速度快，约是GTR的10倍，而且开关功耗小。

差别大了，场效应管是要阴极加触发电压才导通，双极型晶体管是要满足pn结有正向电压才会导通。

1、场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，属于电压控制型半导体器件。

2、场效应晶体管（缩写FET）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。属于电压控制型半导体器件。

3、场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemi conductor FET，简称MOS-FET）。

4、场效应管，全称为“场效应晶体管”，由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。

5、场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。

6、A2SHB是场效应晶体管。场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管和金属 - 氧化物半导体场效应管。它属于电压控制型半导体器件。

第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如，3DJ6D是结型P沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。

场效应三极管的型号命名方法。与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。

IRFU0IRFPG4IRFPF40、IRFP9240、IRFP9140、IRFP240。场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写（FET））简称场效应管。

电动车充电器场效应管的型号是8n60。电动车充电时器基本都是场效应管，一般是8n60，功率大的是20n60，都是3842结构的，结构简单价格便宜。

按照每个公司命名不同.当然信号就不同..你可以把你知道的参数在百度上搜索.就可以查到对应的参数　第一种与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。